洪朝生 | 物理学家

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1920年10月10日出生于北京。是中国低温物理与低温技术研究的开创者之一。1950年在美国普度大学发现了半导体锗单晶低温电导与霍耳效应的反常行为,并提出了半导体禁带中杂质导电的新概念。20世纪50年代以来,创建中国科学院物理研究所低温物理实验室,建造氢、氦液化系统,开始了低温、超导研究,并进一步开拓低温制冷与实验...[详细]

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洪朝生 | 物理学家

1920年10月10日出生于北京。是中国低温物理与低温技术研究的开创者之一。1950年在美国普度大学发现了半导体...[详细]

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负责人:

刘世雄

承担单位:

中科院理化技术研究所