半导体器件:物理和工艺
摘要:本书介绍了半导体器件物理与制造工艺的最新进展,是半导体物理与工艺方面的入门教材。全书共分十二章,可分为三个部分。第一、二章描述了半导体的基本性质及其导电过程,重点介绍硅与砷化镓;第三章和第七章从构成大多数半导体器件的基本结构开始介绍了双极、单级、微波、光电器件的物理及特性;第八章至第十二章阐述了单晶生长、氧化、薄膜淀积、扩散、离子注入、光刻等器件制造的主要工艺步骤的理论与实践。
作者:王阳元;卢文豪;嵇光大译
出版商:科学出版社
发表日期:1992年5月
摘要:本书介绍了半导体器件物理与制造工艺的最新进展,是半导体物理与工艺方面的入门教材。全书共分十二章,可分为三个部分。第一、二章描述了半导体的基本性质及其导电过程,重点介绍硅与砷化镓;第三章和第七章从构成大多数半导体器件的基本结构开始介绍了双极、单级、微波、光电器件的物理及特性;第八章至第十二章阐述了单晶生长、氧化、薄膜淀积、扩散、离子注入、光刻等器件制造的主要工艺步骤的理论与实践。
作者:王阳元;卢文豪;嵇光大译
出版商:科学出版社
发表日期:1992年5月
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